量子霍尔效应是一种在外加强磁场下由于朗道能级量子化导致的无耗散的量子输运特性。然而，外加强磁场这一需求极大地限制了该效应的实际应用前景。近几十年来，探索无磁场的量子霍尔效应，即量子反常霍尔效应，吸引了众多物理学家的关注，并在理论和实验上都取得了很大进展。目前，已经提出或实现的量子反常霍尔效应集中在陈数为1(基于磁性拓扑绝缘体薄膜等)或者2(基于单层石墨烯等)的小陈数体系，而陈数的大小直接对应量子通道的多少，低陈数的现状也显著影响了量子反常霍尔器件的工作效率。
我国科学家经过系统研究发现，通过外加一个弱磁场调控单层过渡金属氧化物材料的磁化方向，便可实现不同陈数的量子反常霍尔效应。在费米能级处，这两种材料都具有6个自旋极化的狄拉克点。在引入自旋—轨道耦合作用之后，每个狄拉克点贡献半个量子化的霍尔电导，但方向各异。当磁化方向处于面内且破坏垂直镜面对称性时，其中4个狄拉克点拥有相同的贝里曲率，而剩下2个狄拉克点处贝里曲率相反;此时，体系具有陈数为1的量子反常霍尔效应。而当磁化方向偏离体系平面时，6个狄拉克点贡献同向的贝里曲率。此时，体系具有陈数为3的量子反常霍尔效应。
该项研究成果不仅提供了一种新型的研究量子反常霍尔效应的材料平台，更重要的是揭示了存在陈数可调的量子反常霍尔效应及其物理成因。
